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参数目录42348
> IRFSL5620PBF MOSFET N-CH 200V 24A TO262
型号:
IRFSL5620PBF
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
International Rectifier
描述:
MOSFET N-CH 200V 24A TO262
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IRFSL5620PBF PDF
产品目录绘图
IR Hexfet TO-262
标准包装
50
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
24A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
77.5 毫欧 @ 15A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
5V @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
38nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1710pF @ 50V
功率 - 最大
144W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装
TO-262
包装
管件
产品目录页面
1519 (CN2011-ZH PDF)
查看IRFSL5620PBF代理商
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